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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

楼盘环境 本活动应用于长三边形城市某的国家级实验室半导产业化四园,企业通常加工8屏幕尺寸和12屏幕尺寸晶圆,日产尼桑量高于2万片。不断地产量提高了,同一的电镀废水工作操作系统已难以满意绿色的要求,急需用钱加剧升级改造。活动总的投资约1200万元,开发工作水平为300吨/日,于202半年俊工投入运营。 废气成分表及来历 该品牌晶圆片区制作工序引起的废水处理具体蕴含左右的成分: 切工方式中运行的抛光液残余物物,主要部分为二氧化的硅粉末、从表面特异性剂和巧妙含有剂 晶圆表面层除污制造的含氟污水,氟铝离子浓硫酸浓度在80-120mg/L 小量高价属阳离子如铜、镍等,源头于切割机方式磨花 生产稀释剂留下,比如异丙醇、甲苯等 pH值震荡比较大,常见在4-10相互 处理施工工艺环节 根据废水加工制作工艺基本特征,设计构思采用了"化学数据预加工+生化模式加工+纵深加工"的搭配组合制作工艺: 调理池 :均衡化水污染供水量,制定pH上线监控和电脑自动投加系统性 水泥混凝土石雕文化沉淀 :添加PAC和PAM,去掉浮动物和氢氧化铁材料 气浮机组 :适用溶气气浮工艺技术加强组织领导一个脚印快速清理微小颗粒物和位置充分物 血生化清理 :适用MBR膜生物工程反应迟钝器,活性污泥氧化还原电位持续在8000-10000mg/L 深层次加工处理 :特异性炭吸附性+反融于方法,确保出水出水未达标 污泥干化处理 :板框带式压滤机脱水过滤,厌氧颗粒污泥含水分率低于60%之下 加工体验 装置稳固运转后,冒水水硬度已经可达《電子企业水水污物尾气尾气直接排放标准规定》(GB39731-2020)尤其尾气直接排放允许值让: COD<30mg/L 氟正离子<5mg/L 浮悬物<10mg/L 巨资属每项指数均底于允许值 大型项目每一年的可提高环境挥发性有机物减排量约COD 32吨、氟化物8.5吨,工业废水处理水率可达到75%上,为机构节省成本煤气费经费支出约130万元/年。

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